Справочник MOSFET. IRFB3004

 

IRFB3004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB3004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 340 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2020 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:457K  international rectifier
 irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf pdf_icon

IRFB3004

PD - 97377IRFB3004PbFIRFS3004PbFIRFSL3004PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS40Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.1.4ml High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75mGID (Silicon Limited)340AcBenefitsID (Package Limited)195A Sl Improved Gate,

 ..2. Size:247K  inchange semiconductor
 irfb3004.pdf pdf_icon

IRFB3004

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3004,IIRFB3004FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.75mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power SupplyHard Switched a

 0.1. Size:289K  international rectifier
 irfb3004gpbf.pdf pdf_icon

IRFB3004

PD - 96237IRFB3004GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS40Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.1.4ml High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75mGID (Silicon Limited) 340ABenefitsID (Package Limited) 195A Sl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRugged

 7.1. Size:245K  international rectifier
 irfb3006pbf.pdf pdf_icon

IRFB3004

IRFB3006PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS60Vl High Efficiency Synchronous RectificationRDS(on) typ.2.1m in SMPSl Uninterruptible Power Supply max. 2.5ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Package Limited) 195A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and DynamicDdV/dt Ruggednessl Full

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: J211 | BUK763R4-30B

 

 
Back to Top

 


 
.