IRFB3006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB3006  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 182 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB3006

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3006 даташит

 ..1. Size:245K  international rectifier
 irfb3006pbf.pdf pdf_icon

IRFB3006

IRFB3006PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification RDS(on) typ. 2.1m in SMPS l Uninterruptible Power Supply max. 2.5m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic D dV/dt Ruggedness l Full

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 irfb3006.pdf pdf_icon

IRFB3006

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3006 IIRFB3006 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMU

 0.1. Size:288K  international rectifier
 irfb3006gpbf.pdf pdf_icon

IRFB3006

PD - 96238 IRFB3006GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.1m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 2.5m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 270A ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 7.1. Size:457K  international rectifier
 irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf pdf_icon

IRFB3006

PD - 97377 IRFB3004PbF IRFS3004PbF IRFSL3004PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A c Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF8734, IRF8736, IRF8788, IRFB23N15D, IRFB23N20D, IRFB260N, IRFB3004, IRFB3004G, SKD502T, IRFB3006G, IRFB3077, IRFB3077G, IRFB31N20D, IRFB3206, IRFB3206G, IRFB3207, IRFB3207Z