IRFB4310G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFB4310G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRFB4310G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFB4310G даташит
irfb4310gpbf.pdf
PD - 96190 IRFB4310GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche
irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdf
PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,
irfb4310pbf irfs4310pbf irfsl4310pbf.pdf
PD - 14275D IRFB4310PbF IRFS4310PbF IRFSL4310PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized
irfb4310zgpbf.pdf
PD - 96189 IRFB4310ZGPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedn
Другие MOSFET... IRFB4127 , IRFB41N15D , IRFB4212 , IRFB4227 , IRFB4229 , IRFB4233 , IRFB42N20D , IRFB4310 , IRLZ44N , IRFB4310Z , IRFB4310ZG , IRFB4321 , IRFB4321G , IRFB4332 , IRFB4410 , IRFB4410Z , IRFB4410ZG .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362




