IRFB4310G - описание и поиск аналогов

 

IRFB4310G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB4310G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRFB4310G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4310G даташит

 ..1. Size:285K  international rectifier
irfb4310gpbf.pdfpdf_icon

IRFB4310G

PD - 96190 IRFB4310GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 6.1. Size:324K  international rectifier
irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdfpdf_icon

IRFB4310G

PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,

 6.2. Size:376K  international rectifier
irfb4310pbf irfs4310pbf irfsl4310pbf.pdfpdf_icon

IRFB4310G

PD - 14275D IRFB4310PbF IRFS4310PbF IRFSL4310PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized

 6.3. Size:291K  international rectifier
irfb4310zgpbf.pdfpdf_icon

IRFB4310G

PD - 96189 IRFB4310ZGPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedn

Другие MOSFET... IRFB4127 , IRFB41N15D , IRFB4212 , IRFB4227 , IRFB4229 , IRFB4233 , IRFB42N20D , IRFB4310 , IRLZ44N , IRFB4310Z , IRFB4310ZG , IRFB4321 , IRFB4321G , IRFB4332 , IRFB4410 , IRFB4410Z , IRFB4410ZG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.