IRFB4310ZG - описание и поиск аналогов

 

IRFB4310ZG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB4310ZG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 127 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRFB4310ZG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4310ZG даташит

 ..1. Size:291K  international rectifier
 irfb4310zgpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310ZG

PD - 96189 IRFB4310ZGPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedn

 5.1. Size:324K  international rectifier
 irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310ZG

PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,

 5.2. Size:251K  inchange semiconductor
 irfb4310z.pdf pdf_icon

IRFB4310ZG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4310Z IIRFB4310Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXI

 5.3. Size:206K  inchange semiconductor
 irfb4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFB4310ZG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4310ZPBF FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFB4212 , IRFB4227 , IRFB4229 , IRFB4233 , IRFB42N20D , IRFB4310 , IRFB4310G , IRFB4310Z , IRF640N , IRFB4321 , IRFB4321G , IRFB4332 , IRFB4410 , IRFB4410Z , IRFB4410ZG , IRFB4610 , IRFB4615 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.