IRFB4615. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFB4615
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRFB4615
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFB4615 даташит
irfb4615pbf.pdf
PD -96171 IRFB4615PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 150V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. l Uninterruptible Power Supply 32m l High Speed Power Switching G max. 39m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID 35A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche
irfb4615.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4615 IIRFB4615 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 39m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply ABSOLUTE MAXIMUM
irfb4610pbf irfs4610pbf irfsl4610pbf.pdf
PD - 95936C IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching 11m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 14m ID 73A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized
irfb4610 irfs4610 irfsl4610.pdf
PD - 96906B IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching 11m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 14m Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt ID 73A S Ruggedness l Fully Characterized Capacita
Другие MOSFET... IRFB4310ZG , IRFB4321 , IRFB4321G , IRFB4332 , IRFB4410 , IRFB4410Z , IRFB4410ZG , IRFB4610 , 2N7000 , IRFB4620 , IRFB4710 , IRFB52N15D , IRFB5615 , IRFB5620 , IRFB59N10D , IRFB61N15D , IRFB812 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360




