IRFB5620 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB5620  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0725 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB5620

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB5620 даташит

 ..1. Size:268K  international rectifier
 irfb5620pbf.pdf pdf_icon

IRFB5620

PD - 96174 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFB5620PbF Features Key Parameters Key Parameters Optimized for Class-D Audio VDS 200 V Amplifier Applications RDS(ON) typ. @ 10V m 60 Low RDSON for Improved Efficiency Qg typ. 25 nC Low QG and QSW for Better THD and Improved Qsw typ. 9.8 nC RG(int) typ. 2.6 Efficiency TJ max 175 C Low QRR for Better THD and Lower EM

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 irfb5620.pdf pdf_icon

IRFB5620

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB5620 IIRFB5620 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 72.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION 175 operating junction temperature and repetitive avalanche capability ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:272K  international rectifier
 irfb5615pbf.pdf pdf_icon

IRFB5620

PD - 96173 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFB5615PbF Features Key Parameters Key Parameters Optimized for Class-D Audio VDS 150 V Amplifier Applications RDS(ON) typ. @ 10V m 32 Low RDSON for Improved Efficiency Qg typ. 26 nC Qsw typ. Low QG and QSW for Better THD and Improved 11 nC RG(int) typ. 2.7 Efficiency TJ max 175 C Low QRR for Better THD and Lower EMI

 8.2. Size:618K  cn evvo
 irfb5615.pdf pdf_icon

IRFB5620

IRFB5615 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology BVDSS RDSON ID Low Gate Charge 150V 13m 85A Low R DS(ON) 100% EAS Guaranteed Green Device Available TO220 Pin Configuration Applications Load Switch LED Applications Networking Applications Quick Charger Absolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4615, IRFB4620, IRFB4710, IRFB52N15D, IRFB5615, IRFP250N, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRFB812, IRFBA1404P, IRFBA1405P, IRFBA90N20D, IRFH3702, IRFH3707