Справочник MOSFET. IRFB5620

 

IRFB5620 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB5620
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0725 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRFB5620

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB5620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  international rectifier
irfb5620pbf.pdfpdf_icon

IRFB5620

PD - 96174DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB5620PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS200 V Amplifier ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m60 Low RDSON for Improved EfficiencyQg typ.25 nC Low QG and QSW for Better THD and Improved Qsw typ.9.8 nCRG(int) typ. 2.6 EfficiencyTJ max175 C Low QRR for Better THD and Lower EM

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
irfb5620.pdfpdf_icon

IRFB5620

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB5620IIRFB5620FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 72.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175 operating junction temperature and repetitive avalanchecapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:272K  international rectifier
irfb5615pbf.pdfpdf_icon

IRFB5620

PD - 96173DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB5615PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS150 V Amplifier ApplicationsRDS(ON) typ. @ 10V m32 Low RDSON for Improved Efficiency Qg typ.26 nCQsw typ. Low QG and QSW for Better THD and Improved 11 nCRG(int) typ. 2.7 EfficiencyTJ max175 C Low QRR for Better THD and Lower EMI

 8.2. Size:618K  cn evvo
irfb5615.pdfpdf_icon

IRFB5620

IRFB5615N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology BVDSS RDSON ID Low Gate Charge 150V 13m 85A Low R DS(ON) 100% EAS Guaranteed Green Device Available TO220 Pin Configuration Applications Load Switch LED Applications Networking Applications Quick Charger Absolute Max

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.