IRFBA1405P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFBA1405P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 174 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO273AA SUPER-220
Аналог (замена) для IRFBA1405P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFBA1405P даташит
irfba1405p.pdf
PD -94111 AUTOMOTIVE MOSFET IRFBA1405P Typical Applications Electric Power Steering (EPS) Anti-lock Braking System (ABS) HEXFET Power MOSFET Wiper Control D Climate Control VDSS = 55V Power Door Benefits Advanced Process Technology RDS(on) = 5.0m Ultra Low On-Resistance G Dynamic dv/dt Rating ID = 174AV 175 C Operating Temperature S Fast Switching Repetitiv
irfba1405ppbf.pdf
PD -95152A IRFBA1405PPbF Typical Applications Industrial Motor Drive HEXFET Power MOSFET D Benefits VDSS = 55V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 5.0m l Dynamic dv/dt Rating G l 175 C Operating Temperature l Fast Switching ID = 174A S l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Stripe Planar design of HEXFET Power MOSFETs uti
auirfba1405.pdf
PD-97768 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFBA1405 HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature max 5.0m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 174A l Fully Avalanche Rated ID (Package Limited) 95A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax l Lead-Free, RoHS
irfba1404ppbf.pdf
PD - 95903A IRFBA1404PPbF HEXFET Power MOSFET Typical Applications Industrial Motor Drive D VDSS = 40V Benefits RDS(on) = 3.7m l Advanced Process Technology G l Ultra Low On-Resistance ID = 206A l Increase Current Handling Capability S l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Dynamic dv/dt Rating l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free Descri
Другие MOSFET... IRFB4710 , IRFB52N15D , IRFB5615 , IRFB5620 , IRFB59N10D , IRFB61N15D , IRFB812 , IRFBA1404P , 2N7002 , IRFBA90N20D , IRFH3702 , IRFH3707 , IRFH5004 , IRFH5006 , IRFH5007 , IRFH5010 , IRFH5015 .
History: FCP104N60 | HUF75639SF085A
History: FCP104N60 | HUF75639SF085A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet





