IRFH5302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFH5302
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
IRFH5302 Datasheet (PDF)
irfh5302.pdf
PD -97156IRFH5302PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VRDS(on) max 2.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 29nCRG (typical) 1.6ID 100 A(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN 5X6 mmApplications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeatures
irfh5302pbf.pdf
IRFH5302PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max 2.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 29 nCRG (typical) 1.6 ID 100 A(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN 5X6 mmApplications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeatures )Low RDSon (
irfh5302trpbf.pdf
IRFH5302PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max 2.1 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 29 nCRG (typical) 1.6 ID 100 A(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN 5X6 mmApplications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeatures )Low RDSon (
irfh5302dpbf.pdf
IRFH5302DPbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max 2.5 m(@VGS = 10V)VSD max 0.65 V(@IS = 5.0A)trr (typical)19 nsID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh5302dpbf.pdf
IRFH5302DPbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VRDS(on) max 2.5 m(@VGS = 10V)VSD max 0.65 V(@IS = 5.0A)trr (typical)19 nsID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918