IRFH5406 - описание и поиск аналогов

 

IRFH5406. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5406

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5406

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5406 даташит

 ..1. Size:233K  international rectifier
irfh5406pbf.pdfpdf_icon

IRFH5406

IRFH5406PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 14.4 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 21 nC RG (typical) 1.1 ID PQFN 5X6 mm 40 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 9.1. Size:260K  1
irfh5020trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5406

IRFH5020PbF HEXFET Power MOSFET VDS 200 V RDS(on) max 55 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC RG (typical) 1.9 ID 34 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses Low The

 9.2. Size:263K  1
irfh5006trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5406

IRFH5006PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 4.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 69 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 4.1m ) Lower Conduction Losses

 9.3. Size:240K  1
irfh5302trpbf.pdfpdf_icon

IRFH5406

IRFH5302PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 29 nC RG (typical) 1.6 ID 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Synchronous MOSFET for buck converters Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features ) Low RDSon (

Другие MOSFET... IRFH5255 , IRFH5300 , IRFH5301 , IRFH5302 , IRFH5302D , IRFH5303 , IRFH5304 , IRFH5306 , 10N65 , IRFH6200 , IRFH7914 , IRFH7921 , IRFH7932 , IRFH7934 , IRFH7936 , IRFH8318 , IRFH8324 .

History: LDP9933ET1G | APM9948K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.