IRFR3709Z - описание и поиск аналогов

 

IRFR3709Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFR3709Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для IRFR3709Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3709Z даташит

 ..1. Size:265K  international rectifier
irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdfpdf_icon

IRFR3709Z

PD - 95072A IRFR3709ZPbF IRFU3709ZPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Chara

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
irfr3709z.pdfpdf_icon

IRFR3709Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709Z, IIRFR3709Z FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.5m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Frequency Synchronous Buck Converters For Computer Processor Power ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PA

 0.1. Size:300K  international rectifier
irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdfpdf_icon

IRFR3709Z

PD - 96046 IRFR3709ZCPbF IRFU3709ZCPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Char

 0.2. Size:1606K  cn vbsemi
irfr3709zt.pdfpdf_icon

IRFR3709Z

IRFR3709ZT www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.002 at VGS = 10 V 100 30 72 nC 0.003 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET AB

Другие MOSFET... IRFR3504Z , IRFR3505 , IRFR3518 , IRFR3607 , IRFR3704Z , IRFR3707Z , IRFR3707ZC , IRFR3708 , IRF530 , IRFR3709ZC , IRFR3710Z , IRFR3711Z , IRFR3711ZC , IRFR3806 , IRFR4104 , IRFR4105Z , IRFR4615 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.