IRFS3207 - описание и поиск аналогов

 

IRFS3207. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS3207

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для IRFS3207

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS3207 даташит

 ..1. Size:379K  international rectifier
irfb3207 irfs3207 irfsl3207.pdfpdf_icon

IRFS3207

PD - 96893C IRFB3207 IRFS3207 IRFSL3207 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching 3.6m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G Benefits max. 4.5m l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 S ID 180A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedn

 ..2. Size:378K  international rectifier
irfs3207pbf.pdfpdf_icon

IRFS3207

PD - 95708D IRFB3207PbF IRFS3207PbF IRFSL3207PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 3.6m G max. 4.5m Benefits S ID 170A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized

 ..3. Size:258K  inchange semiconductor
irfs3207.pdfpdf_icon

IRFS3207

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS3207 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt

 0.1. Size:330K  international rectifier
irfb3207zpbf irfs3207zpbf irfsl3207zpbf.pdfpdf_icon

IRFS3207

IRFB3207ZPbF IRFS3207ZPbF IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 3.3m l Uninterruptible Power Supply max. 4.1m G l High Speed Power Switching ID (Silicon Limited) 170A l Hard Switched and High Frequency Circuits S ID (Package Limited) 120A Benefits D D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

Другие MOSFET... IRFS3004 , IRFS3004-7P , IRFS3006 , IRFS3006-7P , IRFS3107 , IRFS3107-7P , IRFS31N20D , IRFS3206 , IRFZ24N , IRFS3207Z , IRFS3306 , IRFS3307 , IRFS3307Z , IRFS33N15D , IRFS3507 , IRFS3607 , IRFS3806 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.