2N5486 - описание и поиск аналогов

 

2N5486 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N5486
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5486

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N5486 технические параметры

 ..1. Size:357K  fairchild semi
2n5484 2n5485 2n5486 mmbf5484 mmbf5485 mmbf5486.pdfpdf_icon

2N5486

February 2009 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 Rev. 1.0.0 1 2N5484/5485/5486 MMBF5484/5485/5486 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 2 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com Rev. 1.0.0 3 2007

 ..2. Size:85K  vishay
2n5484 sst5484 2n5485 sst5485 2n5486 sst5486.pdfpdf_icon

2N5486

2N/SST5484 Series Vishay Siliconix N-Channel JFETs 2N5484 SST5484 2N5485 SST5485 2N5486 SST5486 PRODUCT SUMMARY Part Number VGS(off) (V) V(BR)GSS Min (V) gfs Min (mS) IDSS Min (mA) 2N/SST5484 -0.3 to -3 -25 3 1 2N/SST5485 -0.5 to -4 -25 3.5 4 2N/SST5486 -2 to -6 -25 4 8 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Excellent High-Frequency Gain D Wideband High Gain D High-Frequency Amplifier/Mi

 ..3. Size:74K  central
2n5484 2n5485 2n5486.pdfpdf_icon

2N5486

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 ..4. Size:146K  onsemi
2n5486.pdfpdf_icon

2N5486

2N5486 JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel Depletion Features Pb-Free Packages are Available* http //onsemi.com 1 DRAIN MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit 3 GATE Drain-Gate Voltage VDG 25 Vdc Reverse Gate-Source Voltage VGSR 25 Vdc 2 SOURCE Drain Current ID 30 mAdc Forward Gate Current IG(f) 10 mAdc Total Device Dissipation @ TC =

Другие MOSFET... 2N4392 , 2N4392CSM , 2N4393 , 2N4393CSM , 2N4416 , 2N5045 , 2N5484 , 2N5485 , IRFB4110 , 2N6656 , 2N6657 , 2N6658 , 2N6659 , 2N6659-LCC4 , 2N6659-SM , 2N6660 , 2N6660JAN .

 

 
Back to Top

 


 
.