IRFSL31N20D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFSL31N20D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFSL31N20D Datasheet (PDF)
irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur
irfsl31n20d.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL31N20DFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
irfb31n20dpbf irfs31n20dp irfsl31n20dp.pdf

IRFB31N20DPbFSMPS MOSFETIRFS31N20DPbFIRFSL31N20DPbFAppIications HEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC convertersl Lead-FreeVDSS RDS(on) max ID200V 0.082 31ABenefitsl Low Gate to Drain to Reduce SwitchingLossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design,(SeeAN 1001)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Cur
irfs3107pbf irfsl3107pbf.pdf

PD -97144AIRFS3107PbFIRFSL3107PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS75Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.2.5m:l Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 3.0m:l Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)230A cID (Package Limited)195A SBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dyn
Другие MOSFET... IRFS52N15D , IRFS5615 , IRFS5620 , IRFS59N10D , IRFSL23N20D , IRFSL3004 , IRFSL3006 , IRFSL3107 , 50N06 , IRFSL3206 , IRFSL3306 , IRFSL33N15D , IRFSL3507 , IRFSL3607 , IRFSL3806 , IRFSL38N20D , IRFSL4010 .
History: TPCF8107 | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | JCS10N65FT
History: TPCF8107 | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | JCS10N65FT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor