IRFSL31N20D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFSL31N20D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.082 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFSL31N20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSL31N20D даташит

 ..1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dpbf irfsl31n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFSL31N20D

IRFB31N20DPbF SMPS MOSFET IRFS31N20DPbF IRFSL31N20DPbF AppIications HEXFET Power MOSFET l High Frequency DC-DC converters l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID 200V 0.082 31A Benefits l Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design,(See AN 1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cur

 ..2. Size:256K  inchange semiconductor
 irfsl31n20d.pdf pdf_icon

IRFSL31N20D

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL31N20D FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 0.1. Size:290K  international rectifier
 irfb31n20dpbf irfs31n20dp irfsl31n20dp.pdf pdf_icon

IRFSL31N20D

IRFB31N20DPbF SMPS MOSFET IRFS31N20DPbF IRFSL31N20DPbF AppIications HEXFET Power MOSFET l High Frequency DC-DC converters l Lead-Free VDSS RDS(on) max ID 200V 0.082 31A Benefits l Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design,(See AN 1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cur

 7.1. Size:371K  international rectifier
 irfs3107pbf irfsl3107pbf.pdf pdf_icon

IRFSL31N20D

PD -97144A IRFS3107PbF IRFSL3107PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 75V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 2.5m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 3.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 230A c ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dyn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS52N15D, IRFS5615, IRFS5620, IRFS59N10D, IRFSL23N20D, IRFSL3004, IRFSL3006, IRFSL3107, 50N06, IRFSL3206, IRFSL3306, IRFSL33N15D, IRFSL3507, IRFSL3607, IRFSL3806, IRFSL38N20D, IRFSL4010