IRFSL33N15D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFSL33N15D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFSL33N15D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFSL33N15D даташит

 ..1. Size:279K  international rectifier
 irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf irfsl33n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFSL33N15D

PD- 95537 IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbF SMPS MOSFET IRFSL33N15DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters 150V 0.056 33A l Lead-Free Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanc

 ..2. Size:142K  international rectifier
 irfb33n15d irfs33n15d irfsl33n15d.pdf pdf_icon

IRFSL33N15D

PD- 93903 IRFB33N15D IRFS33N15D SMPS MOSFET IRFSL33N15D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.056 33A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

 ..3. Size:255K  inchange semiconductor
 irfsl33n15d.pdf pdf_icon

IRFSL33N15D

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFSL33N15D FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistanceV 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 7.1. Size:316K  international rectifier
 irfb3307zpbf irfs3307zpbf irfs3307ztrlpbf irfsl3307zpbf.pdf pdf_icon

IRFSL33N15D

PD - 97214D IRFB3307ZPbF IRFS3307ZPbF Applications IRFSL3307ZPbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching D VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 4.6m max. 5.8m G ID (Silicon Limited) 128A Benefits ID (Package Limited) 120A S l Improved Gate, Av

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS59N10D, IRFSL23N20D, IRFSL3004, IRFSL3006, IRFSL3107, IRFSL31N20D, IRFSL3206, IRFSL3306, IRF640, IRFSL3507, IRFSL3607, IRFSL3806, IRFSL38N20D, IRFSL4010, IRFSL4115, IRFSL4127, IRFSL41N15D