IRFSL4615 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFSL4615
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO262
IRFSL4615 Datasheet (PDF)
irfs4615pbf irfsl4615pbf.pdf

PD -96202IRFS4615PbFIRFSL4615PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS150Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ.34.5ml High Speed Power SwitchingG max. 42ml Hard Switched and High Frequency CircuitsID 33ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtDDRuggednessl Fully Characterized Capac
irfsl4615.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS4615FEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150
irfb4610pbf irfs4610pbf irfsl4610pbf.pdf

PD - 95936CIRFB4610PbFIRFS4610PbFIRFSL4610PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS 100Vl High Speed Power Switching11mRDS(on) typ.l Hard Switched and High Frequency CircuitsG max. 14mID 73ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized
irfb4610 irfs4610 irfsl4610.pdf

PD - 96906BIRFB4610IRFS4610IRFSL4610ApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS 100Vl High Speed Power Switching11m:RDS(on) typ.l Hard Switched and High Frequency CircuitsGmax. 14m:Benefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtID 73ASRuggednessl Fully Characterized Capacita
Другие MOSFET... IRFSL41N15D , IRFSL4227 , IRFSL4310 , IRFSL4310Z , IRFSL4321 , IRFSL4410 , IRFSL4410Z , IRFSL4610 , 2SK3878 , IRFSL4620 , IRFSL5615 , IRFSL5620 , IRFSL59N10D , IRFTS8342 , IRFU1010Z , IRFU1018E , IRFU120Z .
History: SVF6N60MJ | FDD4141-F085 | IRF730AL | 2SJ604-Z | 2SK2478 | AP2316GN | GSM4546
History: SVF6N60MJ | FDD4141-F085 | IRF730AL | 2SJ604-Z | 2SK2478 | AP2316GN | GSM4546



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357