BFC10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BFC10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 235 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

Другие MOSFET... BF995 , BF996 , BF996S , BF996SR , BF997 , BF998 , BF998R , BF998WR , IRF840 , BFC11 , BFC12 , BFC13 , BFC14 , BFC15 , BFC16 , BFC17 , BFC18 .