IRFZ48V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFZ48V  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 496 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFZ48V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ48V даташит

 ..1. Size:223K  international rectifier
 irfz48vpbf.pdf pdf_icon

IRFZ48V

PD - 94992A IRFZ48VPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 12m l Fully Avalanche Rated G l Optimized for SMPS Applications ID = 72A l Lead-Free S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced pro

 ..2. Size:111K  international rectifier
 irfz48v.pdf pdf_icon

IRFZ48V

PD - 93959A IRFZ48V HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 12m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 72A Optimized for SMPS Applications S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to ac

 ..3. Size:861K  cn vbsemi
 irfz48vpbf.pdf pdf_icon

IRFZ48V

IRFZ48VPBF www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization 60 0.012 at VGS = 4.5 V 50 D TO-220AB G S D S G N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Lim

 ..4. Size:246K  inchange semiconductor
 irfz48v.pdf pdf_icon

IRFZ48V

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ48V IIRFZ48V FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFZ44VZ, IRFZ44VZS, IRFZ44Z, IRFZ44ZL, IRFZ44ZS, IRFZ46Z, IRFZ46ZL, IRFZ46ZS, IRF730, IRFZ48VS, IRFZ48Z, IRFZ48ZL, IRFZ48ZS, IRL1404, IRL1404L, IRL1404S, IRL1404Z