IRL7833 - описание и поиск аналогов

 

IRL7833. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL7833

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL7833

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL7833 даташит

 ..1. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdfpdf_icon

IRL7833

PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 ..2. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833spbf irl7833lpbf.pdfpdf_icon

IRL7833

PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
irl7833.pdfpdf_icon

IRL7833

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833 IIRL7833 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:270K  inchange semiconductor
irl7833s.pdfpdf_icon

IRL7833

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833S DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m @V = 10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRL3714Z , IRL3714ZS , IRL3715Z , IRL3715ZL , IRL3715ZS , IRL3803V , IRL3803VS , IRL6342 , IRF3205 , IRL7833L , IRL7833S , IRL8113 , IRL8113L , IRL8113S , IRLB3034 , IRLB3036 , IRLB3036G .

History: IRFZ44VZLPBF | APQ0CSN60A | IRFZ44ELPBF | APQ10SN40A | SM6019NSF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.