Справочник MOSFET. IRL7833

 

IRL7833 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL7833
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для IRL7833

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL7833 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdfpdf_icon

IRL7833

PD - 95270IRL7833PbFIRL7833SPbFIRL7833LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 ..2. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833spbf irl7833lpbf.pdfpdf_icon

IRL7833

PD - 95270IRL7833PbFIRL7833SPbFIRL7833LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 ..3. Size:246K  inchange semiconductor
irl7833.pdfpdf_icon

IRL7833

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833IIRL7833FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:270K  inchange semiconductor
irl7833s.pdfpdf_icon

IRL7833

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.8m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRL3714Z , IRL3714ZS , IRL3715Z , IRL3715ZL , IRL3715ZS , IRL3803V , IRL3803VS , IRL6342 , IRF3205 , IRL7833L , IRL7833S , IRL8113 , IRL8113L , IRL8113S , IRLB3034 , IRLB3036 , IRLB3036G .

History: KF11N50F | 2SK3424-ZJ | SW2N65 | NCE020N30K | STB9NK70Z | SI7430DP | NTD4860NT4G

 

 
Back to Top

 


 
.