IRLML0030 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLML0030
Маркировка: I*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOT23
IRLML0030 Datasheet (PDF)
irlml0030pbf.pdf
PD - 96278BIRLML0030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 20 VG 1RDS(on) max 27 m3 D(@VGS = 10V)RDS(on) max S 2Micro3TM (SOT-23)40 m(@VGS = 4.5V)IRLML0030TRPbFApplication(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 27m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompati
irlml0030pbf-1.pdf
IRLML0030PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 20 VG 1RDS(on) max 27 m3 D(@VGS = 10V)RDS(on) max S 2Micro3TM (SOT-23)40 m(@VGS = 4.5V)Features BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally FriendlierM
irlml0030trpbf.pdf
PD - 96278BIRLML0030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 20 VG 1RDS(on) max 27 m3 D(@VGS = 10V)RDS(on) max S 2Micro3TM (SOT-23)40 m(@VGS = 4.5V)IRLML0030TRPbFApplication(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 27m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompati
irlml0030trpbf.pdf
PD - 96278BIRLML0030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 20 VG 1RDS(on) max 27 m3 D(@VGS = 10V)RDS(on) max S 2Micro3TM (SOT-23)40 m(@VGS = 4.5V)IRLML0030TRPbFApplication(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 27m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompati
irlml0030trpbf.pdf
Product specificationIRLML0030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 20 VG 1RDS(on) max 27 m3 D(@VGS = 10V)RDS(on) max S 2Micro3TM (SOT-23)40 m(@VGS = 4.5V)IRLML0030TRPbFApplication(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 27m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilit
irlml0030tr.pdf
IRLML0030TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918