Справочник MOSFET. IRLML0040

 

IRLML0040 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLML0040
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLML0040 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  international rectifier
irlml0040pbf.pdfpdf_icon

IRLML0040

PD - 96309AIRLML0040TRPbFHEXFET Power MOSFETVDSSV40VGS Max 16 VG 1RDS(on) max56 m(@VGS = 10V)3 DRDS(on) max78 mS 2Micro3TM (SOT-23)(@VGS = 4.5V)IRLML0040TRPbFApplication(s) Load/ System Switch DC Motor DriveFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 56m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vend

 0.1. Size:192K  international rectifier
irlml0040trpbf.pdfpdf_icon

IRLML0040

PD - 96309AIRLML0040TRPbFHEXFET Power MOSFETVDSSV40VGS Max 16 VG 1RDS(on) max56 m(@VGS = 10V)3 DRDS(on) max78 mS 2Micro3TM (SOT-23)(@VGS = 4.5V)IRLML0040TRPbFApplication(s) Load/ System Switch DC Motor DriveFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 56m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vend

 0.2. Size:168K  tysemi
irlml0040trpbf.pdfpdf_icon

IRLML0040

Product specificationIRLML0040TRPbFHEXFET Power MOSFETVDSSV40VGS Max 16 VG 1RDS(on) max56 m(@VGS = 10V)3 DRDS(on) max78 mS 2Micro3TM (SOT-23)(@VGS = 4.5V)IRLML0040TRPbFApplication(s) Load/ System Switch DC Motor DriveFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 56m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout

 0.3. Size:893K  cn vbsemi
irlml0040trpbf.pdfpdf_icon

IRLML0040

IRLML0040TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.