IRLR3110Z - аналоги и даташиты транзистора

 

IRLR3110Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRLR3110Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для IRLR3110Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR3110Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  international rectifier
 irlr3110zpbf irlu3110zpbf.pdf pdf_icon

IRLR3110Z

PD - 97175BIRLR3110ZPbFIRLU3110ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 100V Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGRDS(on) = 14mDescriptionSpecifically designed for Industrial applications,this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to

 ..2. Size:317K  international rectifier
 irlu3110zpbf irlr3110zpbf.pdf pdf_icon

IRLR3110Z

PD - 97175BIRLR3110ZPbFIRLU3110ZPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating Temperature Fast SwitchingVDSS = 100V Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGRDS(on) = 14mDescriptionSpecifically designed for Industrial applications,this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to

 ..3. Size:893K  cn vbsemi
 irlr3110zpbf.pdf pdf_icon

IRLR3110Z

IRLR3110ZPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

 ..4. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr3110z.pdf pdf_icon

IRLR3110Z

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3110Z, IIRLR3110ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)14mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLML6246 , IRLML6344 , IRLML6346 , IRLP3034 , IRLR024Z , IRLR2905Z , IRLR2908 , IRLR3105 , 4435 , IRLR3114Z , IRLR3636 , IRLR3705Z , IRLR3714Z , IRLR3715Z , IRLR3715ZC , IRLR3717 , IRLR3802 .

 

 
Back to Top

 


 
.