Справочник MOSFET. IRLR6225

 

IRLR6225 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR6225
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 915 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для IRLR6225

 

 

IRLR6225 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irlr6225pbf.pdf

IRLR6225 IRLR6225

PD - 97594IRLR6225PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VDDRDS(on) max 4.0 m(@VGS = 4.5V)RDS(on) max S5.2 mGG(@VGS = 2.5V)Qg (typical)48nC D-PakSIRLR6225PbFRG (typical)2.2ID 42 AGDSGate Drain SourceApplications Battery Protection SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-Standard Pinout Multi-Vendor CompatibilityComp

 ..2. Size:241K  inchange semiconductor
 irlr6225.pdf

IRLR6225 IRLR6225

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR6225, IIRLR6225FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)4.0m(VGS=4.5V)RDS(on)5.2m(VGS=2.5V)Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBattery protection switchABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top