IRLR8256 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR8256
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLR8256 Datasheet (PDF)
irlr8256pbf.pdf

PD - 96208AIRLR8256PbFIRLU8256PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC25V 5.7m 10nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial UseDBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSS Sl Ultra-Low Gate ImpedanceDG Gl Fully Char
irlu8256pbf irlr8256pbf.pdf

PD - 96208AIRLR8256PbFIRLU8256PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC25V 5.7m 10nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial UseDBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSS Sl Ultra-Low Gate ImpedanceDG Gl Fully Char
irlr8256.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR8256, IIRLR8256FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5.7mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh efficiencyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 25 VDSSV Gat
irlu8259pbf irlr8259pbf.pdf

PD - 97360IRLR8259PbFIRLU8259PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) maxQgl High Frequency Isolated DC-DC25V 8.7m 6.8nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial UseDBenefitsS Sl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSDG Gl Ultra-Low Gate Impedancel Fully
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor