IRLU3105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLU3105
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для IRLU3105
IRLU3105 Datasheet (PDF)
irlr3105pbf irlu3105pbf.pdf

PD - 95553BIRLR3105PbFIRLU3105PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.037G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 25ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achie
irlu3105.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU3105FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irlu3103pbf irlr3103pbf.pdf

PD - 95085AIRLR/U3103PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR3103)VDSS = 30Vl Straight Lead (IRLU3103)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.019l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 55Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing
irlr3103pbf irlu3103pbf.pdf

PD - 95085AIRLR/U3103PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR3103)VDSS = 30Vl Straight Lead (IRLU3103)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.019l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 55Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing
Другие MOSFET... IRLS4030-7P , IRLSL3034 , IRLSL3036 , IRLSL4030 , IRLTS6342 , IRLU024Z , IRLU2905Z , IRLU2908 , K2611 , IRLU3110Z , IRLU3114Z , IRLU3636 , IRLU3705Z , IRLU3714Z , IRLU3715Z , IRLU3717 , IRLU3802 .
History: SSF7504A7 | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SFG08R06DF | IRFR410 | RU6050R | SI5429DU
History: SSF7504A7 | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SFG08R06DF | IRFR410 | RU6050R | SI5429DU



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855