Справочник MOSFET. AUIRF1405

 

AUIRF1405 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AUIRF1405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 169 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 170 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для AUIRF1405

 

 

AUIRF1405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  international rectifier
 auirf1405.pdf

AUIRF1405 AUIRF1405

PD - 97691AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS55Vl Dynamic dv/dt RatingRDS(on) typ.4.6ml 175C Operating Temperaturel Fast Switchingmax 5.3mGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)169Al Repetitive Avalanche AllowedSup to TjmaxID (Package Limited)75Al Lead-Free,

 0.1. Size:313K  international rectifier
 auirf1405zstrl.pdf

AUIRF1405 AUIRF1405

PD - 97486AAUIRF1405ZSAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405ZLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance DV(BR)DSS55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) max.4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmax S ID150Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified *DDDescriptionSpecifically designed for

 0.2. Size:247K  international rectifier
 auirf1405zs-7p.pdf

AUIRF1405 AUIRF1405

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405ZS-7PFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-Resistance VDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeSID = 120Al Automotive Qualified *S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1)DescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes thela

 0.3. Size:247K  infineon
 auirf1405zs-7p.pdf

AUIRF1405 AUIRF1405

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1405ZS-7PFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-Resistance VDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 4.9mGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeSID = 120Al Automotive Qualified *S (Pin 2, 3, 5, 6, 7)G (Pin 1)DescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes thela

 0.4. Size:345K  infineon
 auirf1405zs auirf1405zl.pdf

AUIRF1405 AUIRF1405

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) max. 4.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 150A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top