AUIRF2804S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF2804S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUIRF2804S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF2804S даташит

 ..1. Size:750K  infineon
 auirf2804 auirf2804s auirf2804l.pdf pdf_icon

AUIRF2804S

AUIRF2804 AUIRF2804S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2804L Features VDSS 40V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.5m Ultra Low On-Resistance max. 2.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 270A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant Aut

 0.1. Size:281K  international rectifier
 auirf2804strr.pdf pdf_icon

AUIRF2804S

AUTOMOTIVE GRADE PD -96290A AUIRF2804 AUIRF2804S AUIRF2804L Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 40V D l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.5m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 2.0m G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 270A l Automotive Qualified * S ID

 0.2. Size:355K  infineon
 auirf2804s-7p.pdf pdf_icon

AUIRF2804S

AUIRF2804S-7P AUTOMOTIVE GRADE Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 1.6m Fast Switching ID (Silicon Limited) 320A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 240A Automotive Qualified * Desc

 5.1. Size:214K  international rectifier
 auirf2804wl.pdf pdf_icon

AUIRF2804S

PD - 97739 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2804WL HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS l Advanced Process Technology 40V l Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 1.8m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 295A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Package Limited) 240A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Description

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRF1404Z, AUIRF1404ZL, AUIRF1404ZS, AUIRF1405, AUIRF1405ZL, AUIRF1405ZS, AUIRF2804, AUIRF2804L, P55NF06, AUIRF2804S-7P, AUIRF2805, AUIRF2805L, AUIRF2805S, AUIRF2807, AUIRF2903Z, AUIRF2903ZL, AUIRF2903ZS