Справочник MOSFET. AUIRF3205ZS

 

AUIRF3205ZS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF3205ZS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF3205ZS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  infineon
auirf3205z auirf3205zs.pdfpdf_icon

AUIRF3205ZS

AUIRF3205Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3205ZS HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 6.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 110A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *

 0.1. Size:330K  international rectifier
auirf3205zstrl.pdfpdf_icon

AUIRF3205ZS

PD - 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

 5.1. Size:205K  international rectifier
auirf3205.pdfpdf_icon

AUIRF3205ZS

PD - 97741AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceV(BR)DSS55Vl Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.8.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)110Al Fully Avalanche RatedSID (Package Limited)75Al Repetitive Avalanche Allowedup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Complian

 8.1. Size:236K  international rectifier
auirf3415.pdfpdf_icon

AUIRF3205ZS

PD - 97625AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3415FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS150Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID43ASl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantDl Automotive Qualified*SDescriptio

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.