Справочник MOSFET. AUIRF3305

 

AUIRF3305 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF3305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF3305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1364K  infineon
auirf3305.pdfpdf_icon

AUIRF3305

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3305 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology Low On-Resistance V(BR)DSS 55V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 8.0m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 140A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Specifically de

 7.1. Size:314K  international rectifier
auirf3315s.pdfpdf_icon

AUIRF3305

PD - 97733AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3315SFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDl Low On-ResistanceVDSS 150Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.82mGl Fast SwitchingID 21Al Fully Avalanche Rated Sl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified * DDescriptionS

 8.1. Size:236K  international rectifier
auirf3415.pdfpdf_icon

AUIRF3305

PD - 97625AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3415FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS150Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.042l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID43ASl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantDl Automotive Qualified*SDescriptio

 8.2. Size:330K  international rectifier
auirf3205zstrl.pdfpdf_icon

AUIRF3305

PD - 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AONU32320 | 2SJ542 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.