Справочник MOSFET. AUIRF3805S

 

AUIRF3805S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF3805S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF3805S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  infineon
auirf3805 auirf3805s auirf3805l.pdfpdf_icon

AUIRF3805S

AUIRF3805 AUIRF3805S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3805L Features VDSS 55V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.6m Ultra Low On-Resistance max. 3.3m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Automotiv

 0.1. Size:382K  international rectifier
auirf3805strl.pdfpdf_icon

AUIRF3805S

PD - 96319AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3805AUIRF3805SAUIRF3805LFeatures HEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyV(BR)DSS55VDl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.2.6ml 175C Operating Temperaturel Fast Switching max. 3.3mGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited)210A l Lead-Free, RoHS CompliantSl Automotive Qualified * ID

 0.2. Size:743K  infineon
auirf3805s-7p auirf3805l-7p.pdfpdf_icon

AUIRF3805S

AUIRF3805S-7P AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3805L-7P Features VDSS 55V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.0m Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature max. 2.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Specifically designed

 6.1. Size:221K  international rectifier
auirf3808.pdfpdf_icon

AUIRF3805S

PD - 97697AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3808HEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar TechnologyDV(BR)DSS75Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.5.9ml Dynamic dv/dt RatingGl 175C Operating Temperaturemax 7.0ml Fast SwitchingSID140Al Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowedup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK9518-30 | SSF2300B | 2N7002EM3T5G | SSW60R190SFD | BUK9M120-100E | LSC70R380GT | 2N6781LCC4

 

 
Back to Top

 


 
.