Справочник MOSFET. AUIRF4905S

 

AUIRF4905S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRF4905S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF4905S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:615K  infineon
auirf4905s auirf4905l.pdfpdf_icon

AUIRF4905S

AUIRF4905S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905L HEXFET Power MOSFET Features VDSS -55V Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET RDS(on) max. 20m Low On-Resistance ID (Silicon Limited) -70A 150C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) -42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D

 5.1. Size:347K  infineon
auirf4905.pdfpdf_icon

AUIRF4905S

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 0.02 175C Operating Temperature Fast Switching ID -74A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S D

 8.1. Size:349K  international rectifier
auirf4104strl.pdfpdf_icon

AUIRF4905S

PD - 97471AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF4104AUIRF4104SFeatures Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFET Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureD V(BR)DSS40V Fast SwitchingRDS(on) typ.4.3m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 5.5mG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)120A Automotive Qualified *SID (Package Li

 8.2. Size:703K  infineon
auirf4104 auirf4104s.pdfpdf_icon

AUIRF4905S

AUIRF4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104S Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m 175C Operating Temperature Fast Switching max. 5.5m Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A L

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MMD70R750PRH | KI8205A | MPSY65M260 | IRHI7360SE | AO4840 | BSZ300N15NS5 | WMP11N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.