AUIRF4905S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF4905S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUIRF4905S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF4905S даташит

 ..1. Size:615K  infineon
 auirf4905s auirf4905l.pdf pdf_icon

AUIRF4905S

AUIRF4905S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905L HEXFET Power MOSFET Features VDSS -55V Advanced Planar Technology P-Channel MOSFET RDS(on) max. 20m Low On-Resistance ID (Silicon Limited) -70A 150 C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) -42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D

 5.1. Size:347K  infineon
 auirf4905.pdf pdf_icon

AUIRF4905S

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4905 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 0.02 175 C Operating Temperature Fast Switching ID -74A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S D

 8.1. Size:349K  international rectifier
 auirf4104strl.pdf pdf_icon

AUIRF4905S

PD - 97471A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104 AUIRF4104S Features Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature D V(BR)DSS 40V Fast Switching RDS(on) typ. 4.3m Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 5.5m G Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 120A Automotive Qualified * S ID (Package Li

 8.2. Size:703K  infineon
 auirf4104 auirf4104s.pdf pdf_icon

AUIRF4905S

AUIRF4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF4104S Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 5.5m Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRF3805S, AUIRF3805S-7P, AUIRF3808, AUIRF3808S, AUIRF4104, AUIRF4104S, AUIRF4905, AUIRF4905L, IRFP450, AUIRF5210S, AUIRF540Z, AUIRF540ZS, AUIRF6215, AUIRF7207Q, AUIRF7416Q, AUIRF7478Q, AUIRF7640S2