AUIRF540Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRF540Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0265 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для AUIRF540Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRF540Z даташит

 ..1. Size:702K  infineon
 auirf540z auirf540zs.pdf pdf_icon

AUIRF540Z

AUIRF540Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 175 C Operating Temperature 21m Fast Switching max. 26.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A Automotive Qualified * Description D

 0.1. Size:326K  international rectifier
 auirf540zstrl.pdf pdf_icon

AUIRF540Z

PD - 96326 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540Z AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 100V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 21m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 26.5m l Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A l Automotive Qualified * S Description Specifically designe

 8.1. Size:236K  international rectifier
 auirf5210s.pdf pdf_icon

AUIRF540Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175 C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

 8.2. Size:295K  infineon
 auirf5210s.pdf pdf_icon

AUIRF540Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features Advanced Process Technology VDSS -100V P-Channel MOSFET Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 60m Dynamic dv/dt Rating Fast Switching ID -38A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S G Description Specifical

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRF3808, AUIRF3808S, AUIRF4104, AUIRF4104S, AUIRF4905, AUIRF4905L, AUIRF4905S, AUIRF5210S, AO4407, AUIRF540ZS, AUIRF6215, AUIRF7207Q, AUIRF7416Q, AUIRF7478Q, AUIRF7640S2, AUIRF7647S2TR, AUIRF7648M2TR