AUIRF7669L2TR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AUIRF7669L2TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для AUIRF7669L2TR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRF7669L2TR даташит
auirf7669l2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7669L2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications RDS(on) typ. 3.5m Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 4.4m High Power Density ID (Silicon Limited) 114A Low Parasitic Parameters Qg (typ
auirf7669l2tr1.pdf
PD - 97536A AUIRF7669L2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7669L2TR1 Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and RDS(on) typ. 3.5m other Heavy Load Applications Exceptionally Small Footprint and Low Profile max. 4.4m High Power Density ID (Silicon Limited) 114A Low Parasitic Par
auirf7665s2tr.pdf
PD - 96286B AUIRF7665S2TR AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR1 DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low P
auirf7665s2tr.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low Parasiti
Другие IGBT... AUIRF6215, AUIRF7207Q, AUIRF7416Q, AUIRF7478Q, AUIRF7640S2, AUIRF7647S2TR, AUIRF7648M2TR, AUIRF7665S2, AO3407, AUIRF7675M2, AUIRF7736M2TR, AUIRF7737L2TR, AUIRF7738L2, AUIRF7739L2, AUIRF7805Q, AUIRF9540N, AUIRF9Z34N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet




