AUIRFB3004 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AUIRFB3004 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 340 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2020 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для AUIRFB3004
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AUIRFB3004 даташит
auirfb3207.pdf
PD - 96322 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB3207 HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 75V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.6m l 175 C Operating Temperature max. 4.5m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 170A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 75A l Automotive Qualified *
auirfb8409 auirfs8409 auirfsl8409.pdf
AUIRFB8409 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS8409 AUIRFSL8409 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l New Ultra Low On-Resistance VDSS 40V l 175 C Operating Temperature RDS(on) (SMD) typ. 0.97m l Fast Switching max. 1.2m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 409A l Automotive Qualified * ID (Package Li
auirfb4410.pdf
PD - 97598 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB4410 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 8.0m 175 C Operating Temperature max. 10m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to ID (Silicon Limited) 88A Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited)
auirfba1405.pdf
PD-97768 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFBA1405 HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS 55V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 4.3m l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature max 5.0m G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 174A l Fully Avalanche Rated ID (Package Limited) 95A l Repetitive Avalanche Allowed S up to Tjmax l Lead-Free, RoHS
Другие IGBT... AUIRF7675M2, AUIRF7736M2TR, AUIRF7737L2TR, AUIRF7738L2, AUIRF7739L2, AUIRF7805Q, AUIRF9540N, AUIRF9Z34N, P60NF06, AUIRFB3006, AUIRFB3077, AUIRFB3206, AUIRFB3207, AUIRFB3207Z, AUIRFB3306, AUIRFB3307Z, AUIRFB3607
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent







