Справочник MOSFET. AUIRFL024N

 

AUIRFL024N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFL024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AUIRFL024N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFL024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  international rectifier
auirfl024n.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFL024NHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.75m Dynamic dV/dT Rating G 150C Operating TemperatureIDS 2.8A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxD Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified*SDDescri

 7.1. Size:215K  international rectifier
auirfl014n.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFL014NHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Planar TechnologyD Low On-ResistanceV(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 150C Operating TemperatureRDS(on) max.0.16G Fast Switching Fully Avalanche RatedS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 1.9A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSpecifically designed f

 9.1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) typ. 0.0433 6 Ultra Low On-Resistance S2 D24 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D20.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 9.2. Size:365K  1
auirf7319q.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch

Другие MOSFET... AUIRFB4610 , AUIRFB4615 , AUIRFB4620 , AUIRFBA1405P , AUIRFI3205 , AUIRFIZ34N , AUIRFIZ44N , AUIRFL014N , IRF840 , AUIRFP064N , AUIRFP1405 , AUIRFP2907 , AUIRFP2907Z , AUIRFP3077 , AUIRFP3206 , AUIRFP3306 , AUIRFP4004 .

History: BRCS3710LRA | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.