AUIRFL024N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFL024N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AUIRFL024N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFL024N даташит

 ..1. Size:208K  international rectifier
auirfl024n.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFL024N HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 55V Advanced Planar Technology Low On-Resistance RDS(on) max. 75m Dynamic dV/dT Rating G 150 C Operating Temperature ID S 2.8A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified* S D Descri

 7.1. Size:215K  international rectifier
auirfl014n.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFL014N HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology D Low On-Resistance V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 150 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.16 G Fast Switching Fully Avalanche Rated S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 1.9A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed f

 9.1. Size:403K  1
auirf7341q.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7341Q VDSS Features 1 8 55V S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7 G1 D1 RDS(on) typ. 0.043 3 6 Ultra Low On-Resistance S2 D2 4 5 max. Logic Level Gate Drive G2 D2 0.050 Dual N Channel MOSFET Top View ID 5.1A Surface Mount Available in Tape & Reel 175 C Operating Temperature Lead-Free, RoHS Co

 9.2. Size:365K  1
auirf7319q.pdfpdf_icon

AUIRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.042 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.058 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 6.5A -4.9A Fully Avalanch

Другие IGBT... AUIRFB4610, AUIRFB4615, AUIRFB4620, AUIRFBA1405P, AUIRFI3205, AUIRFIZ34N, AUIRFIZ44N, AUIRFL014N, IRF840, AUIRFP064N, AUIRFP1405, AUIRFP2907, AUIRFP2907Z, AUIRFP3077, AUIRFP3206, AUIRFP3306, AUIRFP4004