AUIRFP4410Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFP4410Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для AUIRFP4410Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFP4410Z даташит

 6.1. Size:373K  international rectifier
 auirfp4409.pdf pdf_icon

AUIRFP4410Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4409 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 300V Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 56m Fast Switching G 69m max Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant ID 38A Automotive Qualified * Description Specifical

 6.2. Size:476K  infineon
 auirfp4409.pdf pdf_icon

AUIRFP4410Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4409 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 300V Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 56m Fast Switching G 69m max Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free, RoHS Compliant ID 38A Automotive Qualified * Description Specifical

 7.1. Size:275K  international rectifier
 auirfp4004.pdf pdf_icon

AUIRFP4410Z

PD - 96407A AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4004 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V D Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.35m 175 C Operating Temperature max. 1.70m Fast Switching G ID (Silicon Limited) 350A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 195A S Automotive Qualified * Description D S

 7.2. Size:381K  international rectifier
 auirfp4568-e.pdf pdf_icon

AUIRFP4410Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFP4568 AUIRFP4568-E Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS 150V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ.4.8m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 5.9m l Lead-Free, RoHS Compliant S ID 171A l Automotive Qualified * D Description D Specif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFP3077, AUIRFP3206, AUIRFP3306, AUIRFP4004, AUIRFP4110, AUIRFP4227, AUIRFP4310Z, AUIRFP4368, AO3400, AUIRFP4468, AUIRFP4568, AUIRFP4668, AUIRFP4768, AUIRFR024N, AUIRFR1010Z, AUIRFR1018E, AUIRFR120Z