AUIRFR1018E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR1018E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRFR1018E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR1018E даташит

 ..1. Size:619K  infineon
 auirfr1018e.pdf pdf_icon

AUIRFR1018E

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR1018E Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 7.1m 175 C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching ID (Silicon Limited) 79A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 56A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qu

 5.1. Size:242K  international rectifier
 auirfr1010z.pdf pdf_icon

AUIRFR1018E

PD - 97683 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR1010Z HEXFET Power MOSFET Features D VDSS Advanced Process Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) typ. 5.8m 175 C Operating Temperature max. 7.5m G Fast Switching ID (Silicon Limited) 91A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) S 42A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie

 7.1. Size:309K  international rectifier
 auirfu120z auirfr120z.pdf pdf_icon

AUIRFR1018E

PD - 96345 AUIRFR120Z AUIRFU120Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 100V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 150m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 190m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specificall

 7.2. Size:309K  international rectifier
 auirfr120ztrl.pdf pdf_icon

AUIRFR1018E

PD - 96345 AUIRFR120Z AUIRFU120Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 100V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 150m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 190m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specificall

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFP4368, AUIRFP4410Z, AUIRFP4468, AUIRFP4568, AUIRFP4668, AUIRFP4768, AUIRFR024N, AUIRFR1010Z, P55NF06, AUIRFR120Z, AUIRFR2307Z, AUIRFR2405, AUIRFR2407, AUIRFR2607Z, AUIRFR2905Z, AUIRFR3504, AUIRFR3504Z