Справочник MOSFET. AUIRFR4104

 

AUIRFR4104 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFR4104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 119 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR4104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  infineon
 auirfr4104 auirfu4104.pdf pdf_icon

AUIRFR4104

AUIRFR4104 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU4104 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) max. 5.5m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 119A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D

 0.1. Size:317K  international rectifier
 auirfr4104tr.pdf pdf_icon

AUIRFR4104

PD - 97452AAUIRFR4104AUTOMOTIVE GRADEAUIRFU4104HEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceV(BR)DSS 40V 175C Operating TemperatureRDS(on) max.5.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Silicon Limited)119A Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automotive Q

 5.1. Size:317K  international rectifier
 auirfr4105ztr.pdf pdf_icon

AUIRFR4104

PD - 97544AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR4105ZAUIRFU4105ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyV(BR)DSS55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.24.5mG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax IDS 30A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically de

 5.2. Size:238K  international rectifier
 auirfr4105tr.pdf pdf_icon

AUIRFR4104

PD - 97597AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFR4105HEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.45m Dynamic dV/dT RatingGID (Silicon Limited)27A 175C Operating Temperature Fast SwitchingID (Package Limited)20AS Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowedup toTjmax Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK1030A | SM4496PRL | FDB1D7N10CL7 | IRF135S203 | SE12N50FRA | KP977AC | STP26N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.