Справочник MOSFET. AUIRFS3107-7P

 

AUIRFS3107-7P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFS3107-7P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS3107-7P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  infineon
auirfs3107-7p.pdfpdf_icon

AUIRFS3107-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

 4.1. Size:716K  infineon
auirfs3107 auirfsl3107.pdfpdf_icon

AUIRFS3107-7P

AUIRFS3107 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3107 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.5m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 230A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up t

 7.1. Size:716K  infineon
auirfs3206 auirfsl3206.pdfpdf_icon

AUIRFS3107-7P

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 7.2. Size:704K  infineon
auirfs3207z auirfsl3207z.pdfpdf_icon

AUIRFS3107-7P

AUIRFS3207Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3207Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.3m Ultra Low On-Resistance max. 4.1m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 170A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI2329DS | AP2306CGN-HF | AM9945N | NCE65NF050T | SUD40N04-10A | AOD424G | WSD30L90DN56

 

 
Back to Top

 


 
.