Справочник MOSFET. AUIRFS3307Z

 

AUIRFS3307Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFS3307Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS3307Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

AUIRFS3307Z

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 5.1. Size:681K  infineon
 auirfs3306.pdf pdf_icon

AUIRFS3307Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3306 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.3m Ultra Low On-Resistance max. 175C Operating Temperature 4.2m Fast Switching ID (Silicon Limited) 160A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 7.1. Size:716K  infineon
 auirfs3206 auirfsl3206.pdf pdf_icon

AUIRFS3307Z

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 7.2. Size:694K  infineon
 auirfs3107-7p.pdf pdf_icon

AUIRFS3307Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AUIRFS3004-7P , AUIRFS3006 , AUIRFS3006-7P , AUIRFS3107 , AUIRFS3107-7P , AUIRFS3206 , AUIRFS3207Z , AUIRFS3306 , IRFB3607 , AUIRFS3607 , AUIRFS3806 , AUIRFS4010 , AUIRFS4010-7P , AUIRFS4115 , AUIRFS4115-7P , AUIRFS4127 , AUIRFS4310 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.