Справочник MOSFET. AUIRFS3607

 

AUIRFS3607 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFS3607
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS3607 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  infineon
auirfs3607 auirfsl3607.pdfpdf_icon

AUIRFS3607

AUIRFS3607 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3607 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 7.34m Low On-Resistance 175C Operating Temperature max. 9.0m Fast Switching ID 80A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifi

 7.1. Size:716K  infineon
auirfs3206 auirfsl3206.pdfpdf_icon

AUIRFS3607

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 7.2. Size:694K  infineon
auirfs3107-7p.pdfpdf_icon

AUIRFS3607

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS3107-7P HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.1m Ultra Low On-Resistance max. 2.6m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 260A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

 7.3. Size:704K  infineon
auirfs3207z auirfsl3207z.pdfpdf_icon

AUIRFS3607

AUIRFS3207Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3207Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.3m Ultra Low On-Resistance max. 4.1m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 170A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS | NTMD6N03R2

 

 
Back to Top

 


 
.