AUIRFS4115-7P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFS4115-7P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для AUIRFS4115-7P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS4115-7P даташит

 ..1. Size:680K  infineon
 auirfs4115-7p.pdf pdf_icon

AUIRFS4115-7P

AUIRFS4115-7P AUTOMOTIVE GRADE HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 150V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 10m Dynamic dV/dT Rating max. 11.8m 175 C Operating Temperature ID 105A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Descrip

 4.1. Size:722K  infineon
 auirfs4115 auirfsl4115.pdf pdf_icon

AUIRFS4115-7P

AUIRFS4115 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4115 HEXFET Power MOSFET VDSS 150V Features Advanced Process Technology RDS(on) typ. 10.3m Ultra Low On-Resistance max. 12.1m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID 99A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D Automotive Qualified * Description S S

 6.1. Size:446K  infineon
 auirfs4127.pdf pdf_icon

AUIRFS4115-7P

AUIRFS4127 AUTOMOTIVE GRADE Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS 200V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 18.6m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 22m Lead-Free, RoHS Compliant S ID 72A Automotive Qualified * Description D Speci

 7.1. Size:340K  international rectifier
 auirfs4610trl.pdf pdf_icon

AUIRFS4115-7P

PD - 96325 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB4610 AUIRFS4610 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 100V Enhanced dV/dT and dI/dT capability RDS(on) typ. 11m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 14m G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 73A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * D Descripti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFS3207Z, AUIRFS3306, AUIRFS3307Z, AUIRFS3607, AUIRFS3806, AUIRFS4010, AUIRFS4010-7P, AUIRFS4115, IRF1407, AUIRFS4127, AUIRFS4310, AUIRFS4310Z, AUIRFS4321, AUIRFS4410Z, AUIRFS4610, AUIRFS4615, AUIRFS4620