AUIRFS4310Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFS4310Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 127 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUIRFS4310Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFS4310Z даташит

 ..1. Size:672K  infineon
 auirfs4310z.pdf pdf_icon

AUIRFS4310Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.8m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 6.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 127A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS

 4.1. Size:334K  international rectifier
 auirfs4310trl.pdf pdf_icon

AUIRFS4310Z

PD - 96324 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310 AUIRFSL4310 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology V(BR)DSS l Ultra Low On-Resistance 100V D l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 5.6m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 7.0m G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 130A l Automotive Qualified * S ID (Package L

 4.2. Size:712K  infineon
 auirfs4310 auirfsl4310.pdf pdf_icon

AUIRFS4310Z

AUIRFS4310 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4310 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 5.6m Ultra Low On-Resistance max. 7.0m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Au

 7.1. Size:340K  international rectifier
 auirfs4610trl.pdf pdf_icon

AUIRFS4310Z

PD - 96325 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFB4610 AUIRFS4610 Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 100V Enhanced dV/dT and dI/dT capability RDS(on) typ. 11m 175 C Operating Temperature Fast Switching max. 14m G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 73A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * D Descripti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFS3607, AUIRFS3806, AUIRFS4010, AUIRFS4010-7P, AUIRFS4115, AUIRFS4115-7P, AUIRFS4127, AUIRFS4310, 5N60, AUIRFS4321, AUIRFS4410Z, AUIRFS4610, AUIRFS4615, AUIRFS4620, AUIRFSL3004, AUIRFSL3107, AUIRFSL3206