Справочник MOSFET. AUIRFSL3307Z

 

AUIRFSL3307Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFSL3307Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 128 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFSL3307Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  infineon
 auirfs3307z auirfsl3307z.pdf pdf_icon

AUIRFSL3307Z

AUIRFS3307Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3307Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.6m Ultra Low On-Resistance max. 5.8m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 128A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 6.1. Size:716K  infineon
 auirfs3206 auirfsl3206.pdf pdf_icon

AUIRFSL3307Z

AUIRFS3206 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3206 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.4m Ultra Low On-Resistance max. 3.0m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 210A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tj

 6.2. Size:704K  infineon
 auirfs3207z auirfsl3207z.pdf pdf_icon

AUIRFSL3307Z

AUIRFS3207Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3207Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 75V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.3m Ultra Low On-Resistance max. 4.1m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 170A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 120A Lead-Free, RoHS Compliant

 6.3. Size:711K  infineon
 auirfs3004 auirfsl3004.pdf pdf_icon

AUIRFSL3307Z

AUIRFS3004 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL3004 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.4m Ultra Low On-Resistance max. 175C Operating Temperature 1.75m Fast Switching ID (Silicon Limited) 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AUIRFS4410Z , AUIRFS4610 , AUIRFS4615 , AUIRFS4620 , AUIRFSL3004 , AUIRFSL3107 , AUIRFSL3206 , AUIRFSL3207Z , MMD60R360PRH , AUIRFSL3607 , AUIRFSL4010 , AUIRFSL4227 , AUIRFSL4310 , AUIRFSL4410Z , AUIRFU024N , AUIRFU120Z , AUIRFU3607 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.