Справочник MOSFET. AUIRFZ24NS

 

AUIRFZ24NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFZ24NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFZ24NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  infineon
auirfz24ns auirfz24nl.pdfpdf_icon

AUIRFZ24NS

AUIRFZ24NS AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ24NL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS 55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT and dI/dT capability 175C Operating Temperature RDS(on) max. 0.07 Fast Switching Fully Avalanche Rated ID 17A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant D D

 8.1. Size:263K  international rectifier
auirfz34n.pdfpdf_icon

AUIRFZ24NS

PD - 97621AUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ34NFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.040Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedS ID29Al Repetitive Avalanche Allowed upto Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualified*DDescription

 8.2. Size:327K  international rectifier
auirfz44zstrl.pdfpdf_icon

AUIRFZ24NS

PD - 97543AUIRFZ44ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ44ZSFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.13.9mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID51AS Automotive Qualified *DDescriptionDSpecifically

 8.3. Size:245K  international rectifier
auirfz46nl.pdfpdf_icon

AUIRFZ24NS

PD - 96434AUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ46NSAUIRFZ46NLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceV(BR)DSSD 55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast Switching RDS(on) max.16.5ml Fully Avalanche RatedGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID(Silicon Limited) 53Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualifi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FHP40N20A | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.