AUIRLL024N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLL024N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для AUIRLL024N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLL024N даташит

 ..1. Size:198K  international rectifier
 auirll024n.pdf pdf_icon

AUIRLL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology D Low On-Resistance V(BR)DSS 55V Logic Level Gate Drive Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 0.065 150 C Operating Temperature G Fast Switching Fully Avalanche Rated S ID 3.1A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description

 5.1. Size:228K  international rectifier
 auirll024z.pdf pdf_icon

AUIRLL024N

PD - 97762 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL024Z HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 150 C Operating Temperature RDS(on) typ. 48m Fast Switching G max. 60m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 5.0A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description D Specifically de

 5.2. Size:674K  infineon
 auirll024z.pdf pdf_icon

AUIRLL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL024Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. Logic Level Gate Drive 48m 150 C Operating Temperature max. 60m Fast Switching ID 5.0A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Des

 7.1. Size:548K  international rectifier
 auirll014n.pdf pdf_icon

AUIRLL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLL014N HEXFET Power MOSFET Features VDSS Advanced Planar Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) max. Logic Level Gate Drive 0.14 Dynamic dv/dt Rating ID 150 C Operating Temperature 2.0A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRL3705ZS, AUIRL7732S2TR, AUIRL7766M2, AUIRLB3034, AUIRLB3036, AUIRLB4030, AUIRLI2505, AUIRLL014N, 2N7000, AUIRLL2705, AUIRLR014N, AUIRLR024N, AUIRLR024Z, AUIRLR120N, AUIRLR2703, AUIRLR2905, AUIRLR2905Z