AUIRLR2905Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLR2905Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для AUIRLR2905Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR2905Z даташит

 ..1. Size:660K  infineon
 auirlr2905z.pdf pdf_icon

AUIRLR2905Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2905Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 13.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 60A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Desc

 0.1. Size:273K  international rectifier
 auirlr2905ztr.pdf pdf_icon

AUIRLR2905Z

PD - 97583 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2905Z Features HEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process Technology D V(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 13.5m Fast Switching G ID (Silicon Limited) 60A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant S ID (Package Limited) 42A Automot

 4.1. Size:238K  international rectifier
 auirlr2905tr.pdf pdf_icon

AUIRLR2905Z

AUIRLR2905 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU2905 Advanced Planar Technology HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D V(BR)DSS Low On-Resistance 55V Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 27m 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID 42A S Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Autom

 5.1. Size:230K  international rectifier
 auirlr2908.pdf pdf_icon

AUIRLR2905Z

PD - 97734 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2908 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology D V(BR)DSS l Logic-Level Gate Drive 80V l Low On-Resistance RDS(on) typ. 22.5m l 175 C Operating Temperature max 28m l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID (Silicon Limited) 39A l Repetitive Avalanche Allowed S ID (Package Limited) 30A up to Tjmax l Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRLL024N, AUIRLL2705, AUIRLR014N, AUIRLR024N, AUIRLR024Z, AUIRLR120N, AUIRLR2703, AUIRLR2905, 2SK3878, AUIRLR2908, AUIRLR3105, AUIRLR3110Z, AUIRLR3114Z, AUIRLR3410, AUIRLR3636, AUIRLR3705Z, AUIRLR3714