Справочник MOSFET. AUIRLR3114Z

 

AUIRLR3114Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLR3114Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR3114Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  infineon
auirlr3114z auirlu3114z.pdfpdf_icon

AUIRLR3114Z

AUIRLR3114Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3114Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 4.9m 175C Operating Temperature max. 6.5m Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 42A L

 5.1. Size:714K  infineon
auirlr3110z auirlu3110z.pdfpdf_icon

AUIRLR3114Z

AUIRLR3110Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRLU3110Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 11m Logic Level Gate Drive max. 14m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 63A Fast Switching ID (Package Limited) 42A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lea

 6.1. Size:619K  international rectifier
auirlr3105.pdfpdf_icon

AUIRLR3114Z

PD - 97703AAUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3105FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS55V Dynamic dV/dT Ratingl Low On-ResistanceRDS(on) typ.30ml 175C Operating TemperatureG max 37ml Fast Switchingl Fully Avalanche RatedSID25Al Repetitive Avalanche Allowedup to Tjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantDl A

 7.1. Size:246K  international rectifier
auirlr3410trl.pdfpdf_icon

AUIRLR3114Z

PD - 97491AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3410Features Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating DV(BR)DSS100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.105mG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up toID17ASTjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSpecifica

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PJA3407 | BLM12N08-B | 2N6802SM | GP1M011A050XX | OM1N100ST | SHD218602B | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.