AUIRLS3034-7P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLS3034-7P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 380 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 590 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2030 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для AUIRLS3034-7P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLS3034-7P даташит

 ..1. Size:699K  infineon
 auirls3034-7p.pdf pdf_icon

AUIRLS3034-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034-7P HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.0m Logic Level Gate Drive max. Dynamic dv/dt Rating 1.4m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 380A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to T

 4.1. Size:680K  infineon
 auirls3034.pdf pdf_icon

AUIRLS3034-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3034 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.4m Logic Level Gate Drive max. 1.7m Dynamic dv/dt Rating ID (Silicon Limited) 343A 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

 5.1. Size:288K  international rectifier
 auirls3036.pdf pdf_icon

AUIRLS3034-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3036 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.9m Logic Level Gate Drive Dynamic dv/dt Rating max. 2.4m G 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 270A Fast Switching ID (Package Limited) S 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant

 5.2. Size:688K  infineon
 auirls3036-7p.pdf pdf_icon

AUIRLS3034-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3036-7P HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 1.5m Logic Level Gate Drive max. Dynamic dv/dt Rating 1.9m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 300A Fast Switching ID (Package Limited) 240A Repetitive Avalanche Allowed up to T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRLR3110Z, AUIRLR3114Z, AUIRLR3410, AUIRLR3636, AUIRLR3705Z, AUIRLR3714, AUIRLR3915, AUIRLS3034, SKD502T, AUIRLS3036, AUIRLS3036-7P, AUIRLS4030, AUIRLS4030-7P, AUIRLU024N, AUIRLU3110Z, AUIRLU3114Z, AUIRLZ44Z