AUIRLS4030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRLS4030

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 330 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AUIRLS4030

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLS4030 даташит

 ..1. Size:501K  infineon
auirls4030 auirlsl4030.pdfpdf_icon

AUIRLS4030

AUIRLS4030 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLSL4030 Features HEXFET Power MOSFET Optimized for Logic Level Drive Advanced Process Technology D VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.4m Logic Level Gate Drive G 175 C Operating Temperature max 4.3m Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID

 0.1. Size:686K  infineon
auirls4030-7p.pdfpdf_icon

AUIRLS4030

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS4030-7P HEXFET Power MOSFET Features Optimized for Logic Level Drive VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 3.2m Ultra Low On-Resistance Logic Level Gate Drive max. 3.9m 175 C Operating Temperature ID 190A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compl

 8.1. Size:264K  international rectifier
auirlsl4030.pdfpdf_icon

AUIRLS4030

PD - 96406B AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS4030 Features AUIRLSL4030 l Optimized for Logic Level Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS 100V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. l Fast Switching 3.4m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 4.3m l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * ID 180A

 8.2. Size:238K  international rectifier
auirls3114z.pdfpdf_icon

AUIRLS4030

PD - 96412 AUTOMOTIVE GRADE AUIRLS3114Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V D l Advanced Process Technology RDS(on) typ. l Ultra Low On-Resistance 3.8m l Enhanced dV/dT and dI/dT capability max. 4.9m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching ID (Silicon Limited) 122A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID (Wirebond Limited) 56A l Lead-Free, RoHS

Другие IGBT... AUIRLR3636, AUIRLR3705Z, AUIRLR3714, AUIRLR3915, AUIRLS3034, AUIRLS3034-7P, AUIRLS3036, AUIRLS3036-7P, AON7410, AUIRLS4030-7P, AUIRLU024N, AUIRLU3110Z, AUIRLU3114Z, AUIRLZ44Z, IRF5803, IRF5803D2, IRF5805