IRF6218. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF6218
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRF6218
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF6218 даташит
irf6218pbf.pdf
PD -95441 IRF6218PbF SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Reset Switch for Active Clamp 150m @VGS = -10V -27A -150V Reset DC-DC converters l Lead-Free D Benefits l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including G Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) TO-220AB S l Fully Charac
irf6218.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF6218,IIRF6218 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.15 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Reset switch for active clamp Reset DC-DC converters Low gate to drain charge to reduce switching losses ABSOLUTE MAXIMUM
irf6218spbf.pdf
PD - 96181 IRF6218SPbF SMPS MOSFET IRF6218LPbF HEXFET Power MOSFET Applications l Reset Switch for Active Clamp VDSS RDS(on) max ID Reset DC-DC converters 150m @VGS = -10V -27A -150V Benefits D l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See G App. Note AN1001) D2Pak TO-262 l Fully Cha
irf6218l.pdf
PD - 95863A IRF6218S SMPS MOSFET IRF6218L HEXFET Power MOSFET Applications l Reset Switch for Active Clamp VDSS RDS(on) max ID Reset DC-DC converters 150m @VGS = -10V -27A -150V Benefits D l Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See G App. Note AN1001) TO-262 D2Pak l Fully Charact
Другие IGBT... AUIRLU3114Z, AUIRLZ44Z, IRF5803, IRF5803D2, IRF5805, IRF5806, IRF6216, IRF6217, TK10A60D, IRF6218S, IRF7210, IRF7240, IRF7241, IRF7326D2, IRF7342D2, IRF7404Q, IRF7410
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845





